降低介質(zhì)損耗

每單位長度電導與特性阻抗之間存在重要的聯(lián)系，影響每單位長度電導的相同幾何特征，也會影響特性阻抗，這意味著兩個項的乘積會抵消幾何特征的影響。

介質(zhì)損耗項可以簡化為：

這就是說，唯一會因介質(zhì)損耗而影響SDD21的是耗散因子Df和介電常數(shù)Dk。傳輸線的物理設計（例如介質(zhì)厚度、線寬甚至特征阻抗）不會影響介質(zhì)損耗導致的插入損耗。

介質(zhì)損耗的頻率相關性，是由于隨著頻率升高，偶極子旋轉(zhuǎn)越快，從而產(chǎn)生的漏電流越大。

如果要降低介質(zhì)損耗對SDD21的影響，唯一需要調(diào)整是更低的耗散因子，較低的Dk也會有所幫助，但這是平方根依賴關系，可供選擇的范圍不大。

降低導體損耗

當使用低損耗電介質(zhì)（例如Megtron 6或7，甚至是新的Rogers RO1200）時，通道損耗主要由導體損耗決定。

如何減少導體損耗？假設使用的是最平滑的銅箔，則上述關系公式指出只有兩個選項可以減少銅損：減小單位長度的電阻或者增加差分阻抗。

減小單位長度電阻的唯一選擇是增加走線的線寬，較大的線寬將具有較低的單位長度電阻。

但是，差分阻抗也會受到線寬的影響，通常，如果僅增加線寬，則差分阻抗將減小，增加線寬將同時減小分子和分母，最終的結果怎樣呢？

問題就在這里，取決于線寬對單位長度電阻和差分阻抗的影響，最終結果是，更寬的線可能不會大大降低插入損耗。這里是進行詳細分析很重要的地方，2D場求解器是一個很好的工具，可以用作虛擬原型來分析這些折衷方案。

為什么較高的差分阻抗可能比較低的差分阻抗具有更低的損耗？如果在不改變線寬的情況下增加了差分阻抗，例如通過使用較厚的電介質(zhì)，則衰減將與差分阻抗的增加成正比地減小。

在差分特征阻抗從85歐姆提升到100歐姆時，在恒定的線寬下，差分阻抗增加18％，如果插入損耗由導體損耗決定，則插入損耗將降低多達18％。

如果采用保持差分阻抗恒定來設計更寬的線路，則插入損耗將與線寬成比例地減少。

以下是降低導體損耗的一些方法：

使用盡可能厚的介質(zhì)層

在信號層和返回層之間使用盡可能低的Dk

使用松散耦合的差分對（這比緊耦合允許更寬的線寬）

使用盡可能高的差分阻抗

使用能負擔得起的最光滑的銅

當降低損耗是設計中的主要目標時，這些應該是設計盡可能低的導體損耗的指導原則。

僅增加線寬，損耗會怎樣？

對于松散耦合的帶狀差分線，5 mil的線寬，100歐姆特性阻抗，可以使用2D場求解器評估增加線寬對損耗的影響。
較寬的線會減小電阻，但也會減小差分阻抗，二者的比值有什么變化？在此示例中，我們將查看14 GHz的頻率，即28 Gbps NRZ信號或56 Gbps PAM4信號的奈奎斯特頻率。

在此示例中，介質(zhì)損耗被關閉，并且假設使用的是非常光滑的銅，在14 GHz時，僅因?qū)w損耗引起的每英寸插入損耗為0.404 dB /inch。這意味著對于20 inch長的傳輸線，由導體損耗導致的14 GHz處的插入損耗為0.404 x 20 = 8.1 dB，SDD21為-8.1 dB。粗糙的銅和介質(zhì)損耗可能會使損耗增加2-4倍。

如果只是增加線寬，則差分阻抗將減小，插入損耗會怎樣？通過調(diào)整兩條走線的線寬，可以計算出差分阻抗和14 GHz下每英寸的插入損耗，圖3是差分阻抗和傳輸系數(shù)SDD21的圖。

隨著線寬的增加，插入損耗的確會變小，但是影響不會像差分阻抗幅度降低的那么大。

例如，在100歐姆差分阻抗下5mil的走線，在14 GHz下的插入損耗為0.404 dB /英寸，只是將線寬增加到7mil，差分阻抗就會降低到85歐姆，插入損耗會增加到0.37 dB /英寸。

線寬增加了40％，但是插入損耗僅降低了8％，這就是為什么要最大程度地降低插入損耗，請在不改變差分阻抗的情況下，增加線寬。

在此示例中，我們降低了差分阻抗，插入損耗降低了。但是，如果保持線寬恒定并減小差分阻抗，則插入損耗會因?qū)w損耗而增加。同時，介質(zhì)損耗將保持不變，不受差分阻抗的影響，因為它與幾何形狀無關，而僅與材料特性有關。

總結

在探索差分通道的設計空間時，重要的是要考慮損耗的根本原因，以及設計和材料選擇如何共同發(fā)揮作用，減少導體損耗，不僅與增加線寬有關，還與減小差分阻抗有關。

如果我們要做的只是減小差分阻抗，則在線寬保持恒定的情況下，插入損耗可能會增加，或者在更改線寬以調(diào)整差分阻抗時，插入損耗可能會減小。細節(jié)很重要。這些權衡只能使用2D場求解器進行具體分析。